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三星与台积电竞争渐趋白热化,究竟谁能胜出?

www.bjwosai.com2019-08-20
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TSM之间的竞争。美国和三星电子正变得越来越凶猛。无论是技术还是媒体宣传,双方都不会相互妥协。谁能真正获胜?有三个主要观察点:今年生产的7纳米EUV,明年的5G平价战,以及3纳米Gate-All-Around(GAA)技术。

8月8日凌晨,三星在纽约发布了其最新的大型旗舰Note 10。像往常一样,手机在触控笔和摄影功能方面已经大大更新。

但最新的三星处理器Exynos 9825安装在机器内部,一直是台湾半导体行业争论不休的主题。三星称该芯片是世界上第一款7纳米EUV芯片,领先于台积电和英特尔。

近年来,极紫外(EUV)技术的引入是全球半导体产业中最重要的技术变革。 EUV的波长仅为13.5纳米,是过去20年中半导体工业中使用的传统微阴影光源波长的五分之一。 EUV的推出将使台积电和三星等半导体制造商更容易生产出效率更高,功耗更低的芯片。

Taiji已经使用传统的微光刻技术为去年年底发布的Apple A12处理器大规模生产了7纳米工艺。第二代7纳米工艺是第一款推出EUV'N7 +'的工艺,将用于最新版iPhone和华为的旗舰飞机,预计将于下个月发布。

第一场战斗:7纳米EUV三星惨遭胜利

也就是说,三星的“超越曲线”战略,放弃传统工艺,直接攻击7纳米EUV进程只能被视为“悲剧性胜利”,因为它只带领台湾大约一个月。

在三星开始时,三星将在2018年底批量生产7纳米EUV。第一代产品将用于2019年初推出的旗舰产品Galaxy S10。韩国媒体也报道了这一点。但最终,当S10推出时,所使用的三星处理器只是对10nm工艺的一个小修改,这使得三星旗舰机在过去10个月中处理器落后于iPhone的生成过程。

到目前为止,三星的7纳米工艺已经真正问世,但它已推迟了半年。

中间发生了什么?

一家半导体制造商的工艺总监透露,三星已经花了很长时间试图大规模生产7纳米EUV。后来发现,最初设定的设计规则很难实现,最后放宽了指南。结果是最近生产的'7 nm EUV'。但放宽指南的副作用是它会牺牲产品性能。

最原始的版本仍在继续开发,但由于'7 nm EUV'这个名称已被用于'折衷版',因此具有更好性能的原始版本只使用听起来更响亮的'6 nm',根据最多最近在日本举行的三星铸造论坛上,三星的6nm工艺将在今年下半年大规模生产。

不过,业内人士表示,三星的“6nm”产量低至10%。如果新手机在明年第一季度发布,将很难在10月和11月开始量产。

三星选择“曲线超车”,放弃传统工艺,直接攻击7纳米EUV工艺,只能被视为“猩红色”,因为它只会导致一个月左右的时差。

这种尴尬局面最直接的影响是中国第一波5G手机大战。

全球最大的手机IC设计公司高通公司预计,该公司首款5G片上系统(SoC)7250的工艺将于明年初推出,即“6纳米”。

目前,包括Oppo和Vivo在内的中国大陆几家主要手机厂预计将在明年农历新年旺季前推出使用7250芯片的5G手机,以打破华为在5G手机中的垄断地位。

如果三星'6nm'工艺的产量延迟,高通芯片将无法赶上新年的旺季。最大的受益者是台湾联发科。

第二代理:Agent War Qualcomm'6 nm'与中位数7 nm

今年5月,联发科首款5G系统单芯片在台北电脑展上亮相。当时,联发科声称它是世界上性能最高,功耗最低的5G系统单芯片,并集成了联发科开发的AI处理器。

这将是联发科为中高端5G手机推出的“68XX”系列的首款产品。预计将于今年第三季度开始出货,并将于明年第一季度出现在5G手机上。蔡明杰还在股东大会上宣布,这是世界上第一个5G系统单芯片。

业内人士称,目前联发科的上市时间仍落后于高通的7250.

尽管如此,联发科技集团的一位官员表示,这是联发科技产品上市时间第一次最接近高通公司。我希望能够消除近年来被高通击中的耻辱。 '我们在他身后。当他犯了错误时,他就死了。

最有趣的是,联发科和高通(QCOM.US)在5G的第一场硬仗中,它也是一场'代理战争',成为三星和台积电两个背后的芯片制造商的昙花一现。

联泰科技集团的一位官员说,太极也希望赢得三星。因此,台积电强烈支持联发科技。虽然台积电的7纳米产能正在爆发,但我们根本没有压力。

根据Bernstein Securities 8月7日发给客户的一项研究,2020年5G智能手机的全球出货量预测显着增加,从1.79亿增加到1.92亿,几乎增长了一倍。时代,原因是:'5G的中低端手机普及率超出预期。

联发科和高通在5G之间的第一场硬战实际上是一场“代理人战争”,这是两家公司背后的芯片制造商。三星和台湾的空手道。

高通和中兴通讯()最近公布了类似的信息,包括明年年初价格在3000元左右的5G智能手机的出现,并将在下半年降至2000元左右。根据这个降价幅度,相当于5G业务的第二年,中国将拥有大量的“千元手机”,这比4G的普及速度更快。

其中,联发科的中端5G芯片组也快于预期,其中包括第一个5G系统单芯片市场后的一两个赛季,其次是第二个更具成本效益。

伯恩斯坦因此将联发科的目标价从原来的350元上调至370元。

第三场战斗:3纳米的终极战斗,GAA的新结构

根据拓跋工业研究院的最新统计数据,今年第一季度台积电的晶圆代工市场份额为48.1%,第二位的三星为19.1%。

为了缩短差距,三星再次冒险并提出了“超越曲线”的策略,更加大胆,直接跳过5纳米直接攻击3纳米。

不仅如此,还要杀死杀手。今年5月,三星三星铸造论坛(Samsung Foundry Forum)表示将通过重新设计电子晶体子结构,在2021年推出突破性的3纳米工艺“环绕式栅极结构”(Gate-All-Around,GAA)技术。使规模可以降低45%,性能提升35%,降低功耗几乎等于50%的缩略图代摩尔定律的好处。

此外,三星宣布的批量生产时间为2021年,比台积电3纳米生产时间提前一年。

这已成为过去三个月半导体行业的热门话题。 “所有主要客户都对三星感兴趣,”一位外国分析师表示。

曾任台积电研发总监表示,他认为GAA结构可以解决当晶体管一路缩小并挑战摩尔定律极限时“短沟道效应”引起的泄漏问题。 '如果没有更新的创新,这是目前的好解决方案。

事实上,台积电研发GAA结构已有十多年的历史。该前景产品总监表示,早在2004年,在半导体行业台积电着名的“国际超大规模集成电路技术研讨会”(VLSI)公开发布了GAA 5纳米晶体管的技术设计,由当时担任副主任的负责人台积电杨富量。

因此,台积电已经开发出GAA技术,但直到准备在3纳米使用。然而,台积电前高管表示,“如此高调谈论三星,台积电必定会有所反应。”

台积电是法律的第二季度,7月18日,分析师和她发起了攻击。

摩根大通证券分析师Gokul Hariharan将在第二季直接询问法律,“你的竞争对手之一最近引起了很多讨论,竞争对手有意推出一种新的晶体管结构GAA。你会介绍3纳米的GAA结构吗?

台积电总裁魏哲佳表示,他将继续与客户合作确定规格。他的最后一句话没有留下任何想象空间。 “下一次,我会告诉你我们最新的选择。

“让我补充说,”太极董事长刘德寅不能忍住一点,然后拿起麦克风。语调有点刺激。 5纳米和3纳米的TSMC都是“全节点收缩”。 ),'这与我们竞争对手的技术蓝图不同,所以如果比较他们的“3”,它实际上更接近(台湾)的“5”。

一位外资分析师表示,这段文章实际上意味着三星已经从两者中脱身,尽管它声称是3纳米的直接攻击。事实上,与7纳米相比,实际规模只是一小部分。但由于新的晶体管结构,性能同时得到改善。所以假装缩小为另一代,称为3纳米。如果比较真实线宽,它实际上与5纳米TSMC的水平相同。

虽然刘德寅充满了愤慨,但业内很多人都知道,当台积电于2013年从传统晶体管转为新的FinFET时,它与三星的技巧相似。

他在台湾半导体工作了20多年,负责光刻技术的开发。现在他回忆起Es Moore的副总裁Yan Taonan。那时,台积电计划在20纳米处推出FinFET,但有消息传来,因为它改变了新的晶体管。效果很棒。因此,三星打算直接将原来的20纳米FinFET命名为14纳米FinFET,这将迫使台积电效仿。

“我记得非常清楚,”严檀南回忆道。当时,台积电首席执行官,前首席运营官蒋尚义告诉下属,营销部门希望称之为14纳米,这让蒋尚义非常尴尬。 “他说,我根本没有缩水,怎么能拨打14?后来,一个名为16的折衷方案。所以在大规模生产结束时,它被称为16FinFET。

当时,台积电和三星的“宣传技术”曾一度让受到良好监管的英特尔(INTC.US)研发总监大放异彩,甚至到处澄清,英特尔“真14纳米”,其他亚洲竞争对手则不诚实。 ”。

现在风水转向,台湾产业的领导者被台湾产业所取代,它只能对行业的“宣传技术”产生暴力。也许这就是“第一名”的代价。

这篇文章来自“世界杂志”。

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主编:孟然

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